TQM075NH10CR
Número de pieza:
TQM075NH10CR
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7V, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 214W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 250µA
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 50A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 114A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFNU (4.9x5.75)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1538 pF @ 60 V