TQM110NB04DCR RLG
Número de pieza:
TQM110NB04DCR RLG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFNU
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 26nC @ 10V
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.8V @ 250µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A (Ta), 50A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFNU (5x6)
- Potencia - Máx 2.5W (Ta), 58W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1354pF @ 20V