TQM130NH08LCR RLG
Número de pieza:
TQM130NH08LCR RLG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
80V, 54A, SINGLE N-CHANNEL AUTOM
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
- Calificación AEC-Q100
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 82W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A (Ta), 54A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFNU (4.9x5.75)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13mOhm @ 27A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 975 pF @ 40 V