TQM210NH08LDCR RLG
Número de pieza:
TQM210NH08LDCR RLG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11nC @ 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Potencia - Máx 48W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFNU (4.9x5.75)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8.2A (Ta), 33A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 21mOhm @ 16.5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 639pF @ 40V