TSM011NM03LCR RGG
Número de pieza:
TSM011NM03LCR RGG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
30V, 120A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 79 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 96W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFN (5x6)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 20A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4378 pF @ 15 V