TSM018NM08TL RAG
Número de pieza:
TSM018NM08TL RAG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
80V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 357W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 300A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.1V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 20A, 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 179 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLLA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 12182 pF @ 40 V