TSM048NM15TL RAG
Número de pieza:
TSM048NM15TL RAG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
150V, 224A, SINGLE, N-CHANNEL LO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 600W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 129 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.1V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLLA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 224A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9924 pF @ 75 V