TSM085NB03DCR RLG
Número de pieza:
TSM085NB03DCR RLG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 12A 8PDFNU
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 12A, 10V
- Potencia - Máx 2W (Ta), 40W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFNU (5x6)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12A (Ta), 51A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1091pF @ 15V