TSM200N03DPQ33
Número de pieza:
TSM200N03DPQ33
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 345pF @ 25V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFN (3x3)
- Potencia - Máx 20W (Tc)