TSM250N02DCQ
Número de pieza:
TSM250N02DCQ
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Paquete / Carcasa 6-VDFN Exposed Pad
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 5.8A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11nC @ 4.5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 800mV @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-TDFN (2x2)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 775pF @ 10V
- Potencia - Máx 620mW (Tc)