TSM2537CQ
Número de pieza:
TSM2537CQ
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A 6TDFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 6-VDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-TDFN (2x2)
- FET Característica Logic Level Gate, 1.8V Drive
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11.6A (Tc), 9A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
- Potencia - Máx 6.25W