TSM300NB06DCR RLG

TSM300NB06DCR RLG

Número de pieza: TSM300NB06DCR RLG
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 250µA
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17nC @ 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFN (5x6)
  • Potencia - Máx 2W (Ta), 40W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Ta), 25A (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1079pF @ 30V