TSM6502CR
Número de pieza:
TSM6502CR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFN (5x6)
- Potencia - Máx 40W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 24A (Tc), 18A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V