TT8M1TR
Número de pieza:
TT8M1TR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Potencia - Máx 1W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.5A
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-TSST
- FET Característica Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 260pF @ 10V