TW083U65C,RQ
Número de pieza:
TW083U65C,RQ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 111W (Tc)
- Temperatura de Operación 175°C
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (Máx.) +25V, -10V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLL
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 28 nC @ 18 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 600µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 873 pF @ 400 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 124mOhm @ 15A, 18V