UF4SC120023B7SSB

UF4SC120023B7SSB

Número de pieza: UF4SC120023B7SSB
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: onsemi
Descripción: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Embalaje: Bulk
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 12V
  • Tecnología SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 6V @ 10mA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 37.8 nC @ 15 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 385W (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1430 pF @ 800 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete D2PAK-7L
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 40A, 12V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 72A (Tj)