UFB15C12E1BC3N
Número de pieza:
UFB15C12E1BC3N
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 4P-CH 1200V 24A MODULE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa Module
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 6V @ 10mA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 24A (Tj)
- Potencia - Máx 96W (Tc)
- Configuración 4 P-Channel (Full Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 90mOhm @ 15A, 12V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 46nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1445pF @ 800V