UG3SC120009K4S
Número de pieza:
UG3SC120009K4S
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
1200V/9MO,SICFET,DG,G3,TO247-4
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 12V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 789W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 196 nC @ 15 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 12V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.7V @ 320mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8157 pF @ 800 V