UJ4N075005K4S
Número de pieza:
UJ4N075005K4S
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
UJ4N075005K4S
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Disipación de Potencia (Máx.) 714W (Tc)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 750 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 0V, 2V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 80A, 2V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.7V @ 180mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 400 nC @ 18 V
- Vgs (Máx.) +3V, -30V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3028 pF @ 400 V