US6J11TR
Número de pieza:
US6J11TR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- FET Característica Logic Level Gate
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 12V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.3A
- Proveedor Dispositivo Paquete TUMT6
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 290pF @ 6V
- Potencia - Máx 320mW