US6M2GTR
Número de pieza:
US6M2GTR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C
- Configuración N and P-Channel
- Potencia - Máx 1W
- Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V, 20V
- Proveedor Dispositivo Paquete TUMT6
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.5A, 1A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 80pF @ 10V, 150pF @ 10V