UT6J3TCR1

UT6J3TCR1

Número de pieza: UT6J3TCR1
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: ROHM Semiconductor
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 3A 8DFN
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • Configuración 2 P-Channel (Dual)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3A (Ta)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerUDFN
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3A, 4.5V
  • Potencia - Máx 2W (Ta)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2000pF @ 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete DFN2020-8D