UT6MA2TCR
Número de pieza:
UT6MA2TCR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Paquete / Carcasa 6-PowerUDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete HUML2020L8
- Potencia - Máx 2W (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 180pF @ 15V, 305pF @ 15V