VDM5E6N110LSA
Número de pieza:
VDM5E6N110LSA
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Descripción:
65V, Single N MOSFET, RDS(ON) 11
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 45A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 65 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN5060
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 830 pF @ 30 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 31.2W