VDM610N180LSA

VDM610N180LSA

Número de pieza: VDM610N180LSA
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Descripción: 100V, Dual N Channel MOSFET, RDS
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 31A (Tc)
  • Potencia - Máx 35W
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 24nC @ 10V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
  • FET Característica Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Proveedor Dispositivo Paquete DFN5060 Dual
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1065pF @ 50V