VDR10N095LSA

VDR10N095LSA

Número de pieza: VDR10N095LSA
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Descripción: 100V, Single N MOSFET, RDS(ON) 9
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 56A (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1685 pF @ 50 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 57.6W