VDR10N170LSA
Número de pieza:
VDR10N170LSA
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Descripción:
100V, Single N MOSFET, RDS(ON) 1
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 44A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 62.5W
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1093 pF @ 40 V