VQ1006P-2

VQ1006P-2

Número de pieza: VQ1006P-2
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa -
  • Proveedor Dispositivo Paquete 14-DIP
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Potencia - Máx 2W
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 400mA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 90V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V
  • Configuración 4 N-Channel
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 60pF @ 25V