VQ2001P

VQ2001P

Número de pieza: VQ2001P
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Proveedor Dispositivo Paquete -
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa -
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 1mA
  • Potencia - Máx 2W
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 600mA
  • Configuración 4 P-Channel
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 12V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 150pF @ 15V