VS-4C10ET07S2LHM3
Número de pieza:
VS-4C10ET07S2LHM3
Clasificación de productos:
Tipos de diodos rectificadores
Fabricante:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Temperatura de Operación - Unión -55°C ~ 175°C
- Corriente - Promedio Rectificado (Io) 10A
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263AB (D2PAK)
- Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ If 1.5 V @ 10 A
- Tecnología SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 0 ns
- Voltaje - Inversa de Corriente Continua (Vr) (Máx.) 650 V
- Corriente - Fuga Inversa @ Vr 80 µA @ 650 V
- Capacitancia @ Vr, F 440pF @ 1V, 1MHz