VT6M1T2CR
Número de pieza:
VT6M1T2CR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Last Time Buy
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Paquete / Carcasa 6-SMD, Flat Leads
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100mA
- Potencia - Máx 120mW
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 100µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete VMT6
- FET Característica Logic Level Gate, 1.2V Drive
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7.1pF @ 10V