WI71060TR
Número de pieza:
WI71060TR
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Wise-Integration
Descripción:
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Disipación de Potencia (Máx.) -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 700 V
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Máx.) +6V, -4V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tj)
- Paquete / Carcasa 8-LDFN Exposed Pad
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 10mA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDFN (8x8)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 65mOhm @ 2A, 6V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7 nC @ 6 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 216 pF @ 400 V