XP10C150M
Número de pieza:
XP10C150M
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
- Configuración N and P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Potencia - Máx 2W (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V