XP10N011LM
Número de pieza:
XP10N011LM
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N CH 100V 11A SO-8
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.5W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 44.8 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1920 pF @ 80 V