XP10N024H
Número de pieza:
XP10N024H
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N CH 100V 25.8A TO-252
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 5V, 10V
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 24mOhm @ 12A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2160 pF @ 50 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 25.8A (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 23.2 nC @ 5 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2W (Ta), 31.2W (Tc)