XP10NB6R9CST
Número de pieza:
XP10NB6R9CST
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N CH 100V 20A SPPAK5X6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 89 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa SC-100, SOT-669
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 30A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Ta), 100A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete SPPAK 5X6
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4768 pF @ 80 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 6W (Ta), 187.5W (Tc)