XP10P135YT
Número de pieza:
XP10P135YT
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET P CH -100V -3.4A PMPAK3X
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Disipación de Potencia (Máx.) 3.13W (Ta)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2600 pF @ 50 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 46.4 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PMPAK (3x3)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 135mOhm @ 3A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.4A (Ta), 9.5A (Tc)