XP3N5R0YT
Número de pieza:
XP3N5R0YT
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N CH 30V 19.5A PMPAK3X3
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 35.2 nC @ 4.5 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 3.12W (Ta)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PMPAK (3x3)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3040 pF @ 15 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19.5A (Ta), 40A (Tc)