XP3N9R5MT
Número de pieza:
XP3N9R5MT
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N CH 30V 17.7A PMPAK5X
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 38.4 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1600 pF @ 15 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerLDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 5W (Ta), 22.7W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PMPAK (5x6)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 17.7A (Ta), 37.8A (Tc)