XP4509AGM
Número de pieza:
XP4509AGM
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Last Time Buy
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 19.2nC @ 4.5V
- Potencia - Máx 2W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11.2A (Ta), 8A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V