XP4N4R2MT
Número de pieza:
XP4N4R2MT
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N CH 40V 20.7A PMPAK5X6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerLDFN
- Disipación de Potencia (Máx.) 5W (Ta), 52W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PMPAK (5x6)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 25.8A (Ta), 60A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 41.6 nC @ 4.5 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4400 pF @ 20 V