XP4NA1R5HCST
Número de pieza:
XP4NA1R5HCST
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
YAGEO XSemi
Descripción:
MOSFET N CH 40V 45A SPPAK5X6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Paquete / Carcasa SC-100, SOT-669
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 250µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 45A (Ta), 100A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 5W (Ta), 125W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete SPPAK 5X6
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 40A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 140.8 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7136 pF @ 30 V