XPJ102N09N8R-G
Número de pieza:
XPJ102N09N8R-G
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Torex Semiconductor Ltd
Descripción:
N-CHANNEL MOSFET 100V, 9.4MOHM,
Embalaje:
Case
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 62.5W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.8V @ 115µA
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN5060-8L
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 59.2A (Tj)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1780 pF @ 50 V