XPQ1R00AQB,LXHQ
Número de pieza:
XPQ1R00AQB,LXHQ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
100V UMOS10 L-TOGL 1.03MOHM
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 750W (Tc)
- Temperatura de Operación 175°C
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 1.5mA
- Paquete / Carcasa 8-PowerBSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete L-TOGL™
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 300A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.03mOhm @ 150A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 269 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 21450 pF @ 10 V