ZXMC3F31DN8TA
Número de pieza:
ZXMC3F31DN8TA
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Potencia - Máx 1.8W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 12.9nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 608pF @ 15V
- FET Característica Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6.8A, 4.9A