Memoria (54449)

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Producto Descripción RoHS Estado Cantidad
K4A8G165WB-BIWE
Marca: Samsung
Embalaje: -
8Gbit 1.2V 1.6GHz DDR4 SDRAM FBGA-96 Memory (ICs) RoHS
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
PDF
Sí
Existencia 120
K4B4G1646E-BMMA
Marca: Samsung
Embalaje: -
4Gbit 1.28V~1.575V 933MHz DDR3L SDRAM FBGA-96 Memory (ICs) RoHS
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
PDF
Sí
Existencia 556
THGBMBG7D2KBAIL
Marca: Toshiba
Embalaje: -
MMC 8-bit 25ns 153-Pin FBGA 128-gigabit
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
PDF
Sí
Existencia 330
MT40A256M16GE-083E:B
Marca: Micron Technology Inc.
Embalaje: Tray
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
PDF
Sí
Existencia 29784
MT41K128M16JT-125:K
Marca: Micron Technology Inc.
Embalaje: Cut Tape (CT)
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
Sí
Existencia 6000
MT41K256M8DA-125:K
Marca: Micron Technology Inc.
Embalaje: Tray
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
Sí
Existencia 14300
MT40A512M16LY-062E:E
Marca: Micron Technology Inc.
Embalaje: Tray
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
Sí
Existencia 2211
MT40A1G16KD-062E:E
Marca: Micron Technology Inc.
Embalaje: Bulk
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
Sí
Existencia 300
MT47H128M16RT-25E:C
Marca: Micron Technology Inc.
Embalaje: Tray
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
PDF
Sí
Existencia 195
MT41K256M16TW-107:P
Marca: Micron Technology Inc.
Embalaje: Tray
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
Circuitos Integrados (CI) Memoria Memoria
PDF
Sí
Existencia 1085