20N06
Номер детали:
20N06
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 25 nC @ 10 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 25A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 41W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус TO-252
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 24mOhm @ 20A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1609 pF @ 30 V