2N7002DWH6327XTSA1
Номер детали:
2N7002DWH6327XTSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
- Мощность - Максимальная 500mW
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 20pF @ 25V
- Корпус 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Поставщик Устройство Корпус PG-SOT363-PO
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 300mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 0.6nC @ 10V