2SK3798(STA4,Q,M)
Номер детали:
2SK3798(STA4,Q,M)
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 26 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 40W (Tc)
- Рабочая температура 150°C
- Корпус TO-220-3 Full Pack
- Напряжение сток-исток (Vdss) 900 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A (Ta)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 800 pF @ 25 V
- Vgs (макс.) ±30V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
- Поставщик Устройство Корпус TO-220SIS
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 2A, 10V