4N60L
Номер детали:
4N60L
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
UMW
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A (Tc)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
- Vgs (макс.) ±30V
- Поставщик Устройство Корпус TO-252 (DPAK)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 2A, 10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 104W